گیراندازی نور خورشید و جذب آن در "نانو پیل‌های خورشیدی"
پژوهشگران به تازگی چگونگی جذب نور خورشید توسط نانوسیم‌های سیلیکونی با اشکال مختلف را مورد مطالعه قرارداده‌اند و سرانجام موفق به ساخت نانو سیم های سیلیکونی شدند.
به گزارش خبرنگار علمی باشگاه خبرنگاران، محققان کره‌ای و آمریکایی به بررسی مقدار جذب نور در ساختارهای مختلف نانوسیم‌های سیلیکونی پرداختند.
نتایج کار آنها نشان داد که برخلاف آنچه که پیش از این تصور می‌شود، آرایه نانوسیم‌ها جذب کمتری نسبت به نانوسیم‌های منفرد ندارد. بنابراین از این آرایه‌ها می‌توان برای تولید پیل‌های خورشیدی استفاده کرد.
پژوهشگران به تازگی چگونگی جذب نور خورشید توسط نانوسیم‌های سیلیکونی با اشکال مختلف را مورد مطالعه قرارداده‌اند.
آنها دریافتند که مقدار جذب نانوسیم‌های منفرد از آرایه‌ی نانوسیم‌ها بیشتر نیست. نتایج یافته‌های این گروه می‌تواند روی طراحی پیل‌های خورشیدی کاراتر تأثیرگذار باشد.
مدت‌هاست که سازندگان پیل‌های خورشیدی از سیلیکون برای ساخت آنها استفاده می‌کنند، اما سیلیکون به دلیل پایین بودن ضریب جذب کارایی مناسبی ندارد.
هونگ گیوپارک از دانشگاه کره می‌گوید: نانوسیم‌های سیلیکونی کارایی بهتری نسبت به سیلیکون توده‌ای دارند، دلیل این امر وجود حفره‌های نوری در آن است که به صورت آنتنی موجب محدود شدن و به دام افتادن نور می‌شود. بنابراین اگر بتوان از این نانوسیم‌ها برای ساخت پیل خورشیدی استفاده کرد، می‌توان امیدوار بود که پیل‌های نازک‌تر و ارزان قیمت باکارایی بالا پا به عرصه‌ی ظهور بگذارند. در این پروژه ما قصد داشتیم تا بفهمیم که چگونه می‌توان جذب نانوسیم‌ها را به حداکثر رساند.
این گروه نشان دادند که اگر نانوسیم‌های منفرد به صورت آرایه درآیند مقدار جذب آنها افزایش می‌یابد، نتایج این پژوهش درک بهتری از به دام افتادن نور در نانوسیم ها را فراهم می‌کند.
این نتایج بسیار شگفت‌انگیز است زیرا می‌تواند برای ساخت پیل‌های خورشیدی کاراتر مورد استفاده قرار گیرد.
انتهای پیام/
