ساخت "نانو ترانزيستور لايه نازک" به کمک لايه‌هاي نازک
پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا موفق به ساخت اولین ترانزیستور با استفاده از لایه‌های نانومقیاس MoS2 شدند.
به گزارش خبرنگار فناوری‌های نوین باشگاه خبرنگاران؛ پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثرمیدان نوع P با استفاده از لایه‌های نانومقیاس MoS2 شدند.
محققان آمریکایی موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثرمیدان نوع P از جنس مولیبدنیت (MoS2 FETs) شدند. مولیبدنیت ماده‌ای بسیار مهم در صنعت نیمه‌هادی به شمار می‌آید که دلیل آن تماس فلزی تابع کار بالای این ماده است. تاکنون MoS2 FETs را از نیمه‌هادی نوع n می ساختند که در آن نوع، تماس فلزی اهمیت چندانی نداشت.
به گفته‌ي محققان باند گپ مستقیم این ماده 1.8 الکترون ولت بوده که از باند گپ غیرمستقیم سیلیکون برای ساخت ادوات الکترونیکی بهتر است. بنابراین MoS2 یک رقیب بزرگ برای مواد دو بعدی نظیر گرافن در ساخت ادوات الکترونیک است.
هنگام ساخت ادوات الکترونیکی باند گپ نقش بسیار مهمی دارد زیرا استفاده از باند گپ‌های مستقیم، به جای باند گپ غیرمستقیم، موجب افزایش کارایی دستگاه می‌شود. وجود باندگپ موجب می‌شود تا بتوان دستگاه را خاموش و یا روشن کرد.
از آنجایی که ضخامت MoS2 در حدود 0.7 نانومتر است بنابراین می‌توان با آن ترانزیستورهای بسیار کوچکی ساخت که نسبت به ترانزیستورهای معمولی گرمای بسیار کمتری ایجاد می‌کند.
استیون چانگ از محققان این پروژه می‌گوید: ما به جای استفاده از فلز، از MoS2 برای ساخت ترانزیستور استفاده کردیم. این ماده به عنوان یک تزریق کننده حفره برای مواد آلی استفاده می‌شد اما ما در این پروژه از آن برای ساخت ترانزیستور استفاده کردیم.
انتهای پیام/
